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ON Semiconductor NVMFSW6D1N08HT1G

Name: NVMFSW6D1N08HT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFSW6D1N08HT1G
Price: 0.595056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (368 reviews)

Número da peça MFG: NVMFSW6D1N08HT1G

Quantidade disponível: 64020 Peças

Preço de referência: USD 0.595056

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 T8 80V 1 PART PROLIFERATI

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NVMFSW6D1N08HT1G.pdf

NVMFSW6D1N08HT1G Especificações

Número da peça de fabricante	NVMFSW6D1N08HT1G
Número da peça futura	FT-NVMFSW6D1N08HT1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
NVMFSW6D1N08HT1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	17A (Ta), 89A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 120µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2085pF @ 40V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFSW6D1N08HT1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NVMFSW6D1N08HT1G-FT

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