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ON Semiconductor NVMFS5C612NLWFT1G

Name: NVMFS5C612NLWFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS5C612NLWFT1G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (654 reviews)

Número da peça MFG: NVMFS5C612NLWFT1G

Quantidade disponível: 20240 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NVMFS5C612NLWFT1G.pdf

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NVMFS5C612NLWFT1G Especificações

Número da peça de fabricante	NVMFS5C612NLWFT1G
Número da peça futura	FT-NVMFS5C612NLWFT1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NVMFS5C612NLWFT1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	36A (Ta), 235A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6660pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5C612NLWFT1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NVMFS5C612NLWFT1G-FT

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