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ON Semiconductor NVMFS5C612NLWFAFT1G

Name: NVMFS5C612NLWFAFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS5C612NLWFAFT1G
Price: 1.098376 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (665 reviews)

Número da peça MFG: NVMFS5C612NLWFAFT1G

Quantidade disponível: 13980 Peças

Preço de referência: USD 1.098376

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NVMFS5C612NLWFAFT1G.pdf

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NVMFS5C612NLWFAFT1G Especificações

Número da peça de fabricante	NVMFS5C612NLWFAFT1G
Número da peça futura	FT-NVMFS5C612NLWFAFT1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
NVMFS5C612NLWFAFT1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	38A (Ta), 250A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.36 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6660pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5C612NLWFAFT1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NVMFS5C612NLWFAFT1G-FT

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