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ON Semiconductor NVF3055L108T3G

Name: NVF3055L108T3G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVF3055L108T3G
Price: 0.26528 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (596 reviews)

Número da peça MFG: NVF3055L108T3G

Quantidade disponível: 88930 Peças

Preço de referência: USD 0.26528

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NVF3055L108T3G.pdf

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NVF3055L108T3G Especificações

Número da peça de fabricante	NVF3055L108T3G
Número da peça futura	FT-NVF3055L108T3G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
NVF3055L108T3G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.3W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-223
Pacote / caso	TO-261-4, TO-261AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVF3055L108T3G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NVF3055L108T3G-FT

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