casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVF3055L108T1G
Número da peça de fabricante | NVF3055L108T1G |
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Número da peça futura | FT-NVF3055L108T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
NVF3055L108T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1.5A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±15V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-223 |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVF3055L108T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NVF3055L108T1G-FT |
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