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ON Semiconductor NVD5802NT4G-TB01

Name: NVD5802NT4G-TB01
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD5802NT4G-TB01
Availability: InStock
Rating: 4.9 (314 reviews)

Número da peça MFG: NVD5802NT4G-TB01

Quantidade disponível: 34590 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 40V 101A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NVD5802NT4G-TB01.pdf

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NVD5802NT4G-TB01 Especificações

Número da peça de fabricante	NVD5802NT4G-TB01
Número da peça futura	FT-NVD5802NT4G-TB01
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
NVD5802NT4G-TB01 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	16.4A (Ta), 101A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5300pF @ 12V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK (SINGLE GAUGE)
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5802NT4G-TB01 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NVD5802NT4G-TB01-FT

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