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ON Semiconductor NVC6S5A354PLZT1G

Name: NVC6S5A354PLZT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVC6S5A354PLZT1G
Price: 0.210632 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (355 reviews)

Número da peça MFG: NVC6S5A354PLZT1G

Quantidade disponível: 99530 Peças

Preço de referência: USD 0.210632

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NVC6S5A354PLZT1G.pdf

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NVC6S5A354PLZT1G Especificações

Número da peça de fabricante	NVC6S5A354PLZT1G
Número da peça futura	FT-NVC6S5A354PLZT1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NVC6S5A354PLZT1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.9W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	6-CPH
Pacote / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVC6S5A354PLZT1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NVC6S5A354PLZT1G-FT

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