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ON Semiconductor NVATS4A101PZT4G

Name: NVATS4A101PZT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVATS4A101PZT4G
Price: 0.289776 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (748 reviews)

Número da peça MFG: NVATS4A101PZT4G

Quantidade disponível: 29360 Peças

Preço de referência: USD 0.289776

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NVATS4A101PZT4G.pdf

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NVATS4A101PZT4G Especificações

Número da peça de fabricante	NVATS4A101PZT4G
Número da peça futura	FT-NVATS4A101PZT4G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NVATS4A101PZT4G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	27A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	18.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	875pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	36W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	ATPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVATS4A101PZT4G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NVATS4A101PZT4G-FT

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