casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTTFS6H850NTAG
Número da peça de fabricante | NTTFS6H850NTAG |
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Número da peça futura | FT-NTTFS6H850NTAG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NTTFS6H850NTAG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 68A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.2W (Ta), 107W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Pacote / caso | 8-PowerWDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTTFS6H850NTAG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTTFS6H850NTAG-FT |
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