casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / NTSB20120CTT4G
Número da peça de fabricante | NTSB20120CTT4G |
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Número da peça futura | FT-NTSB20120CTT4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NTSB20120CTT4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 12µA @ 90V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTSB20120CTT4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTSB20120CTT4G-FT |
SBAV99RWT1G
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10AX027H4F35I3LG
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10AX057K3F40I2SG
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EP3SE80F780C2
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