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ON Semiconductor NTR3A052PZT1G

Name: NTR3A052PZT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTR3A052PZT1G
Price: 0.105 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (50 reviews)

Número da peça MFG: NTR3A052PZT1G

Quantidade disponível: 42570 Peças

Preço de referência: USD 0.105

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NTR3A052PZT1G.pdf

NTR3A052PZT1G Especificações

Número da peça de fabricante	NTR3A052PZT1G
Número da peça futura	FT-NTR3A052PZT1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NTR3A052PZT1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	11.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1243pF @ 4V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	860mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23 (TO-236AB)
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTR3A052PZT1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NTR3A052PZT1G-FT

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