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ON Semiconductor NTMSD6N303R2SG

Name: NTMSD6N303R2SG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMSD6N303R2SG
Availability: InStock
Rating: 5.0 (705 reviews)

Número da peça MFG: NTMSD6N303R2SG

Quantidade disponível: 51090 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: FETKY™ MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NTMSD6N303R2SG.pdf

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NTMSD6N303R2SG Especificações

Número da peça de fabricante	NTMSD6N303R2SG
Número da peça futura	FT-NTMSD6N303R2SG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	FETKY™
NTMSD6N303R2SG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 24V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	-
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SOIC
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMSD6N303R2SG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NTMSD6N303R2SG-FT

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