casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMSD2P102LR2G
Número da peça de fabricante | NTMSD2P102LR2G |
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Número da peça futura | FT-NTMSD2P102LR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | FETKY™ |
NTMSD2P102LR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 16V |
Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipação de energia (máx.) | 710mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMSD2P102LR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTMSD2P102LR2G-FT |
NTB60N06LT4
ON Semiconductor
NTB60N06LT4G
ON Semiconductor
NTB6410ANG
ON Semiconductor
NTB6411ANG
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NTB6411ANT4G
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NTB6412ANG
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A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
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