casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMKE4891NT1G
Número da peça de fabricante | NTMKE4891NT1G |
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Número da peça futura | FT-NTMKE4891NT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NTMKE4891NT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 26.7A (Ta), 151A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) |
Pacote / caso | 5-ICEPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMKE4891NT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTMKE4891NT1G-FT |
N0301P-T1-AT
Renesas Electronics America
N0302P-T1-AT
Renesas Electronics America
N0413N-ZK-E1-AY
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N0601N-ZK-E1-AY
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