casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTMFS4C10NT1G-001
Número da peça de fabricante | NTMFS4C10NT1G-001 |
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Número da peça futura | FT-NTMFS4C10NT1G-001 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NTMFS4C10NT1G-001 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.2A (Ta), 46A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.95 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 987pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 750mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C10NT1G-001 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTMFS4C10NT1G-001-FT |
NTMFS4C302NT1G
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