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ON Semiconductor NTMFS4C05NT1G-001

Número da peça MFG
NTMFS4C05NT1G-001
Quantidade disponível
21390 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
- MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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NTMFS4C05NT1G-001 Especificações

Número da peça de fabricante NTMFS4C05NT1G-001
Número da peça futura FT-NTMFS4C05NT1G-001
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
NTMFS4C05NT1G-001 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 11.9A (Ta), 78A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1972pF @ 15V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 770mW (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso 8-PowerTDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4C05NT1G-001 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição NTMFS4C05NT1G-001-FT

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