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ON Semiconductor NTMD6601NR2G

Número da peça MFG
NTMD6601NR2G
Quantidade disponível
74550 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
- MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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NTMD6601NR2G Especificações

Número da peça de fabricante NTMD6601NR2G
Número da peça futura FT-NTMD6601NR2G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
NTMD6601NR2G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Potência - Max 600mW
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SOIC
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMD6601NR2G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição NTMD6601NR2G-FT

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