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ON Semiconductor NTMD6601NR2G
- Número da peça MFG
- NTMD6601NR2G
- Quantidade disponível
- 74550 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- ON Semiconductor
- Descrição breve
- - MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- NTMD6601NR2G.pdf
NTMD6601NR2G Especificações
| Número da peça de fabricante | NTMD6601NR2G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-NTMD6601NR2G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| NTMD6601NR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Recurso FET | Logic Level Gate |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Potência - Max | 600mW |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTMD6601NR2G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | NTMD6601NR2G-FT |
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