casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NTHD3101FT1G
Número da peça de fabricante | NTHD3101FT1G |
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Número da peça futura | FT-NTHD3101FT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NTHD3101FT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 10V |
Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipação de energia (máx.) | 1.1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ChipFET™ |
Pacote / caso | 8-SMD, Flat Lead |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHD3101FT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTHD3101FT1G-FT |
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