casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / NTHC5513T1G
Número da peça de fabricante | NTHC5513T1G |
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Número da peça futura | FT-NTHC5513T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NTHC5513T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 2.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
Potência - Max | 1.1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ChipFET™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHC5513T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NTHC5513T1G-FT |
MMDF2N02ER2
ON Semiconductor
MMDF2N02ER2G
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MMDF2P02ER2G
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MMDF2P02HDR2
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EP4SGX290FH29I3
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5SGXEABN2F45I3N
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