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ON Semiconductor NTD60N02R-35G

Name: NTD60N02R-35G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTD60N02R-35G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (40 reviews)

Número da peça MFG: NTD60N02R-35G

Quantidade disponível: 80180 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NTD60N02R-35G.pdf

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NTD60N02R-35G Especificações

Número da peça de fabricante	NTD60N02R-35G
Número da peça futura	FT-NTD60N02R-35G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NTD60N02R-35G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	8.5A (Ta), 32A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.25W (Ta), 58W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I-PAK
Pacote / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD60N02R-35G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NTD60N02R-35G-FT

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