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ON Semiconductor NTD4856N-1G

Name: NTD4856N-1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTD4856N-1G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (390 reviews)

Número da peça MFG: NTD4856N-1G

Quantidade disponível: 15870 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NTD4856N-1G.pdf

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NTD4856N-1G Especificações

Número da peça de fabricante	NTD4856N-1G
Número da peça futura	FT-NTD4856N-1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NTD4856N-1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	13.3A (Ta), 89A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2241pF @ 12V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.33W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I-PAK
Pacote / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD4856N-1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NTD4856N-1G-FT

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