casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVMUN5336DW1T1G
Número da peça de fabricante | NSVMUN5336DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-NSVMUN5336DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMUN5336DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 100 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 187mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5336DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMUN5336DW1T1G-FT |
NSBC123JPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA124XDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F484C6
Intel
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC7K410T-1FF900I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX090N4F45I3SG
Intel
EP1S30F1020C7
Intel