casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVMUN5316DW1T1G
Número da peça de fabricante | NSVMUN5316DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-NSVMUN5316DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVMUN5316DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5316DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVMUN5316DW1T1G-FT |
NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA124XDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
EP3C40F324C8N
Intel
EP3C40F324C8
Intel