casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / NSVMMUN2236LT1G

| Número da peça de fabricante | NSVMMUN2236LT1G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-NSVMMUN2236LT1G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| NSVMMUN2236LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 100 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 246mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSVMMUN2236LT1G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | NSVMMUN2236LT1G-FT |

PDTB113ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTB114ETVL
Nexperia USA Inc.

PDTB123ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTB123TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTB143ETVL
Nexperia USA Inc.

PDTB143XTVL
Nexperia USA Inc.

PDTC114ET,215
Nexperia USA Inc.

PDTC114ET,235
Nexperia USA Inc.

PDTC114TT,215
Nexperia USA Inc.

PDTC114TT,235
Nexperia USA Inc.

LFXP3C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

XA3S400A-4FGG400Q
Xilinx Inc.

AGLN020V5-CSG81
Microsemi Corporation

M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation

ICE65L01F-LQN84I
Lattice Semiconductor Corporation

5SGXMA7H3F35C4N
Intel

XC5VSX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.

LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXFC3B6U19I7N
Intel

EPF6024AQC208-3
Intel