casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSVBSS63LT1G
Número da peça de fabricante | NSVBSS63LT1G |
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Número da peça futura | FT-NSVBSS63LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSVBSS63LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 2.5mA, 25mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 1V |
Potência - Max | 225mW |
Freqüência - Transição | 95MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBSS63LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVBSS63LT1G-FT |
MJE13005G
ON Semiconductor
MJE13007
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MJE13009
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MJE13009G
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MJE15028
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MJE15029
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MJE15030
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MJE15031
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MJE15032
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MJE15033
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A3P030-QNG68
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5SGXMA7N3F40C3
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EP4SE360F35I3N
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XC7VX330T-2FF1761C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation