casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSVBC124EPDXV6T1G
Número da peça de fabricante | NSVBC124EPDXV6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSVBC124EPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
NSVBC124EPDXV6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 339W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBC124EPDXV6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSVBC124EPDXV6T1G-FT |
PUMH13,115
Nexperia USA Inc.
PUMH7,115
Nexperia USA Inc.
PUMD3,135
Nexperia USA Inc.
PUMB11,115
Nexperia USA Inc.
PUMD48,125
Nexperia USA Inc.
PUMH9,115
Nexperia USA Inc.
PUMH9,125
Nexperia USA Inc.
PBLS1503Y,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4005Y,115
Nexperia USA Inc.
PUMH10,125
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