casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / NSV60100DUW6T1G
Número da peça de fabricante | NSV60100DUW6T1G |
---|---|
Número da peça futura | FT-NSV60100DUW6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSV60100DUW6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | - |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV60100DUW6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSV60100DUW6T1G-FT |
2N2913
Central Semiconductor Corp
2N2914
Central Semiconductor Corp
2N2915
Central Semiconductor Corp
2N2915A
Central Semiconductor Corp
2N2916
Central Semiconductor Corp
2N2916A
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