casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSV20101JT1G
Número da peça de fabricante | NSV20101JT1G |
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Número da peça futura | FT-NSV20101JT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSV20101JT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Potência - Max | 255mW |
Freqüência - Transição | 350MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-89-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV20101JT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSV20101JT1G-FT |
MMBT6427LT3G
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MMBT6429LT1
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5SGSED8K2F40I3N
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5SGXMB5R1F43I2N
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A40MX04-PL84M
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AGL250V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation