casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / NSS60101DMTTBG
Número da peça de fabricante | NSS60101DMTTBG |
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Número da peça futura | FT-NSS60101DMTTBG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSS60101DMTTBG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 100mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 2.27W |
Freqüência - Transição | 180MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-WDFN (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS60101DMTTBG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSS60101DMTTBG-FT |
NSVEMX1DXV6T1G
ON Semiconductor
NSVT3904DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T5G
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BC847CDXV6T5
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BC847CDXV6T5G
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BC848CDXV6T1G
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BC848CDXV6T5
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BC848CDXV6T5G
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BC858CDXV6T5
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