casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / NSS40301MDR2G
Número da peça de fabricante | NSS40301MDR2G |
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Número da peça futura | FT-NSS40301MDR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSS40301MDR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 115mV @ 200mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 653mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40301MDR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSS40301MDR2G-FT |
BC847CDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3906DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T1G
ON Semiconductor
NST30010MXV6T1G
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NSVEMT1DXV6T5G
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NSVEMX1DXV6T1G
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NSVT3904DXV6T1G
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BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor
A3P400-1PQG208
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A3PN250-2VQ100I
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EP20K200EFC484-3
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5SGXEA7H2F35I2L
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XC4005XL-3PC84I
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XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100I
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10AX090H2F34I1SG
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10AX016E3F29I2LG
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