casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSS12601CF8T1G
Número da peça de fabricante | NSS12601CF8T1G |
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Número da peça futura | FT-NSS12601CF8T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSS12601CF8T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 6A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 400mA, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 830mW |
Freqüência - Transição | 140MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ChipFET™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS12601CF8T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSS12601CF8T1G-FT |
NJVMJD117T4G
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A54SX16A-2FG256I
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5SGXEA9N3F45C2N
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XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
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EP3SL50F780C3
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EP1C4F400I7N
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