casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / NSS12500UW3T2G
Número da peça de fabricante | NSS12500UW3T2G |
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Número da peça futura | FT-NSS12500UW3T2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSS12500UW3T2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 260mV @ 400mA, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
Potência - Max | 875mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 3-WDFN (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS12500UW3T2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSS12500UW3T2G-FT |
SBCP56-16T1G
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NSS1C201MZ4T3G
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M2GL090TS-1FG484I
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XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2LG
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EPF8636ALC84-4
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EP1S10F780I6N
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