casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / NSBA123EF3T5G
Número da peça de fabricante | NSBA123EF3T5G |
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Número da peça futura | FT-NSBA123EF3T5G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBA123EF3T5G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 254mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-1123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-1123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA123EF3T5G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBA123EF3T5G-FT |
MMUN2240LT1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2133LT1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2232LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2214LT1G
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MMUN2116LT1G
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SMMUN2213LT1G
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MMUN2112LT1G
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MUN2213T1G
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NSVMMUN2212LT1G
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SMMUN2113LT1G
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XC5206-6PQ100C
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XC3SD3400A-5FGG676C
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M2GL025-1VFG256I
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A42MX09-3VQ100I
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EP2C70F672C8N
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10CX150YF672I6G
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XC2VP30-5FFG1152I
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LCMXO2-4000HC-4BG332I
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LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQC240-2X
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