casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / NSBA114EF3T5G
Número da peça de fabricante | NSBA114EF3T5G |
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Número da peça futura | FT-NSBA114EF3T5G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBA114EF3T5G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 254mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-1123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-1123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA114EF3T5G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBA114EF3T5G-FT |
MMUN2133LT1G
ON Semiconductor
MMUN2113LT1G
ON Semiconductor
MMUN2231LT1G
ON Semiconductor
MUN2211T3G
ON Semiconductor
MMUN2213LT1G
ON Semiconductor
MMUN2215LT1G
ON Semiconductor
MUN2214T1G
ON Semiconductor
MUN2233T1G
ON Semiconductor
MUN2113T1G
ON Semiconductor
SMMUN2111LT1G
ON Semiconductor
EPF10K30ATI144-2N
Intel
LCMXO2-1200HC-5TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S200-4PQ208C
Xilinx Inc.
AX500-1FG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40I2L
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation