casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / NSBA114EF3T5G
Número da peça de fabricante | NSBA114EF3T5G |
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Número da peça futura | FT-NSBA114EF3T5G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBA114EF3T5G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 254mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-1123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-1123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA114EF3T5G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBA114EF3T5G-FT |
MMUN2133LT1G
ON Semiconductor
MMUN2113LT1G
ON Semiconductor
MMUN2231LT1G
ON Semiconductor
MUN2211T3G
ON Semiconductor
MMUN2213LT1G
ON Semiconductor
MMUN2215LT1G
ON Semiconductor
MUN2214T1G
ON Semiconductor
MUN2233T1G
ON Semiconductor
MUN2113T1G
ON Semiconductor
SMMUN2111LT1G
ON Semiconductor
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
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A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
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5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel