casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / NSBA113EF3T5G
Número da peça de fabricante | NSBA113EF3T5G |
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Número da peça futura | FT-NSBA113EF3T5G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBA113EF3T5G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 1 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 254mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-1123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-1123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA113EF3T5G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBA113EF3T5G-FT |
MUN2211T1G
ON Semiconductor
MMUN2133LT1G
ON Semiconductor
MMUN2113LT1G
ON Semiconductor
MMUN2231LT1G
ON Semiconductor
MUN2211T3G
ON Semiconductor
MMUN2213LT1G
ON Semiconductor
MMUN2215LT1G
ON Semiconductor
MUN2214T1G
ON Semiconductor
MUN2233T1G
ON Semiconductor
MUN2113T1G
ON Semiconductor
EP1C3T144C8N
Intel
AGLN250V2-ZCSG81I
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AT40K10LV-3AQC
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5SGXMA3E3H29I4N
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5SGXEA7H3F35C3N
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LFE2M50SE-7FN484C
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LCMXO2-2000UHE-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
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5AGXBA1D4F31C4N
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EP3SL70F780I4LN
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