casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / NSB8MTHE3_A/I
Número da peça de fabricante | NSB8MTHE3_A/I |
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Número da peça futura | FT-NSB8MTHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
NSB8MTHE3_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8MTHE3_A/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSB8MTHE3_A/I-FT |
1N4151TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4154TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4154TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4454-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4454-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel