casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / NRVBM120LT1G
Número da peça de fabricante | NRVBM120LT1G |
---|---|
Número da peça futura | FT-NRVBM120LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWERMITE® |
NRVBM120LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 10V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-216AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Powermite |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM120LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NRVBM120LT1G-FT |
MA2J1110GL
Panasonic Electronic Components
MA2J11200L
Panasonic Electronic Components
MA2J1120GL
Panasonic Electronic Components
MA2J11300L
Panasonic Electronic Components
MA2J1130GL
Panasonic Electronic Components
MA2J11400L
Panasonic Electronic Components
MA2J1140GL
Panasonic Electronic Components
MA2J11500L
Panasonic Electronic Components
MA2J1150GL
Panasonic Electronic Components
MA2J11600L
Panasonic Electronic Components
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel