casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / NRVBM120ET3G
Número da peça de fabricante | NRVBM120ET3G |
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Número da peça futura | FT-NRVBM120ET3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWERMITE® |
NRVBM120ET3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 595mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 5V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-216AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Powermite |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM120ET3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NRVBM120ET3G-FT |
MA2J1150GL
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MA2J11600L
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M1A3P1000-FGG256
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5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel