casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NRS6010T6R8MMGFV
Número da peça de fabricante | NRS6010T6R8MMGFV |
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Número da peça futura | FT-NRS6010T6R8MMGFV |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR, S Type |
NRS6010T6R8MMGFV Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.2A |
Atual - saturação | 1.2A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 264 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 30MHz |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS6010T6R8MMGFV Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NRS6010T6R8MMGFV-FT |
NRS6012T220MMGJ
Taiyo Yuden
NRS8040T150MJGJ
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NRS6012T150MMGJ
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LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel