casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NRS6010T6R8MMGFV
Número da peça de fabricante | NRS6010T6R8MMGFV |
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Número da peça futura | FT-NRS6010T6R8MMGFV |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR, S Type |
NRS6010T6R8MMGFV Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.2A |
Atual - saturação | 1.2A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 264 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 30MHz |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS6010T6R8MMGFV Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NRS6010T6R8MMGFV-FT |
NRS6012T220MMGJ
Taiyo Yuden
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Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C2LN
Intel
XC4006E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8820ARC208-2
Intel
EP1S40F1020C6
Intel