casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NRS2012T4R7MGJ
Número da peça de fabricante | NRS2012T4R7MGJ |
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Número da peça futura | FT-NRS2012T4R7MGJ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR, S Type |
NRS2012T4R7MGJ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 910mA |
Atual - saturação | 900mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 241 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 120°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS2012T4R7MGJ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NRS2012T4R7MGJ-FT |
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XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation