casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NRS2012T3R3MGJV
Número da peça de fabricante | NRS2012T3R3MGJV |
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Número da peça futura | FT-NRS2012T3R3MGJV |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR, S Type |
NRS2012T3R3MGJV Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.02A |
Atual - saturação | 1A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 190 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS2012T3R3MGJV Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NRS2012T3R3MGJV-FT |
NRS5014T4R7NMGG
Taiyo Yuden
NRS5024T150MMGJV
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NRS5024T1R0NMGJV
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NRS6014T3R3NMGG
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NRS6014T3R3NMGGV
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel