casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NR3012T6R8M
Número da peça de fabricante | NR3012T6R8M |
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Número da peça futura | FT-NR3012T6R8M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR |
NR3012T6R8M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 740mA |
Atual - saturação | 670mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 228 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 40MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 120°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3012T6R8M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NR3012T6R8M-FT |
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel