casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NR3012T4R7M
Número da peça de fabricante | NR3012T4R7M |
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Número da peça futura | FT-NR3012T4R7M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR |
NR3012T4R7M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 980mA |
Atual - saturação | 770mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 156 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 48MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 120°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3012T4R7M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NR3012T4R7M-FT |
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XA3S200A-4FTG256Q
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XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation