casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NR3012T2R2M
Número da peça de fabricante | NR3012T2R2M |
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Número da peça futura | FT-NR3012T2R2M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR |
NR3012T2R2M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.2A |
Atual - saturação | 1.1A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 96 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 70MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 120°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3012T2R2M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NR3012T2R2M-FT |
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XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel