casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NR3010T4R7M
Número da peça de fabricante | NR3010T4R7M |
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Número da peça futura | FT-NR3010T4R7M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR |
NR3010T4R7M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 780mA |
Atual - saturação | 750mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 228 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 56MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 120°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3010T4R7M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NR3010T4R7M-FT |
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Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel