casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NR3010T1R0N
Número da peça de fabricante | NR3010T1R0N |
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Número da peça futura | FT-NR3010T1R0N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR |
NR3010T1R0N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 1.4A |
Atual - saturação | 1.3A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 78 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 126MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 120°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3010T1R0N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NR3010T1R0N-FT |
NR6012T220ME
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XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel