casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NR10050T3R8N
Número da peça de fabricante | NR10050T3R8N |
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Número da peça futura | FT-NR10050T3R8N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR |
NR10050T3R8N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 3.8µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 6.8A |
Atual - saturação | 7.3A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 16.9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 26MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.394" L x 0.386" W (10.00mm x 9.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.197" (5.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR10050T3R8N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NR10050T3R8N-FT |
NR5040T4R7N
Taiyo Yuden
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XA3S200A-4FTG256Q
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XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation