casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / NR10050T220M
Número da peça de fabricante | NR10050T220M |
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Número da peça futura | FT-NR10050T220M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NR |
NR10050T220M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 22µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.5A |
Atual - saturação | 2.6A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 58.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 10MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.394" L x 0.386" W (10.00mm x 9.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.197" (5.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR10050T220M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NR10050T220M-FT |
NR6045T1R8N
Taiyo Yuden
NR6045T3R0N
Taiyo Yuden
NR6012T100M
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NR6012T101M
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel