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Renesas Electronics America NP82N04PDG-E1-AY

Name: NP82N04PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP82N04PDG-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 4.7 (590 reviews)

Número da peça MFG: NP82N04PDG-E1-AY

Quantidade disponível: 87170 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Renesas Electronics America

Descrição breve: - MOSFET N-CH 40V 82A TO-263

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NP82N04PDG-E1-AY.pdf

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NP82N04PDG-E1-AY Especificações

Número da peça de fabricante	NP82N04PDG-E1-AY
Número da peça futura	FT-NP82N04PDG-E1-AY
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NP82N04PDG-E1-AY Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	82A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9000pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta), 143W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-263
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP82N04PDG-E1-AY Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NP82N04PDG-E1-AY-FT

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