casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSD107M006R0100
Número da peça de fabricante | NOSD107M006R0100 |
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Número da peça futura | FT-NOSD107M006R0100 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSD107M006R0100 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 100µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 100 mOhms |
Corrente - Vazamento | 12µA |
Fator de dissipação | 6% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 2917 (7343 Metric) |
Código do tamanho do fabricante | D |
Altura - Sentado (Max) | 0.122" (3.10mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2917 (7343 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSD107M006R0100 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSD107M006R0100-FT |
NOJP685M004RWJ
AVX Corporation
NOJP106M002RWJ
AVX Corporation
NOJP106M004RWJ
AVX Corporation
NOJP106M006RWJ
AVX Corporation
NOJP156M001RWJ
AVX Corporation
NOJP156M002RWJ
AVX Corporation
NOJP156M004RWJ
AVX Corporation
NOJP225M010RWJ
AVX Corporation
NOJP226M001RWJ
AVX Corporation
NOJP226M002RWJ
AVX Corporation
XC2S50-6TQ144C
Xilinx Inc.
XA3S1000-4FTG256Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
EP4SE820F43I4N
Intel
A1020B-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5
Intel