casa / produtos / Capacitores / Capacitores de óxido de nióbio / NOSD107M006R0100
Número da peça de fabricante | NOSD107M006R0100 |
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Número da peça futura | FT-NOSD107M006R0100 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OxiCap® NOS |
NOSD107M006R0100 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 100µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 100 mOhms |
Corrente - Vazamento | 12µA |
Fator de dissipação | 6% |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 2917 (7343 Metric) |
Código do tamanho do fabricante | D |
Altura - Sentado (Max) | 0.122" (3.10mm) |
Características | Low ESR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2917 (7343 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSD107M006R0100 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NOSD107M006R0100-FT |
NOJP685M004RWJ
AVX Corporation
NOJP106M002RWJ
AVX Corporation
NOJP106M004RWJ
AVX Corporation
NOJP106M006RWJ
AVX Corporation
NOJP156M001RWJ
AVX Corporation
NOJP156M002RWJ
AVX Corporation
NOJP156M004RWJ
AVX Corporation
NOJP225M010RWJ
AVX Corporation
NOJP226M001RWJ
AVX Corporation
NOJP226M002RWJ
AVX Corporation
LCMXO2280C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C6N
Intel
XC7VX690T-2FF1158I
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3
Intel
EPF10K50VRC240-1
Intel